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继三星和美光之后,韩国存储器大厂SK海力士也决定放缓大陆无锡DRAM新厂原订每月高达18万片产能的增产脚步。
ISSI提供其IS43LD16640C/32320C LPDDR2 dram在134-ball BGA和168-ball PoP BGA封装
我们关注到内存芯片价格已经暴跌了近三成了,曾经的高收益或将一去不复返了,内存芯片巨头的布局却没有减少,还在纷纷地扩大产能,不过其中的旗舰企业其实也在悄然的转型,布局更加高工艺的产品,比如7nm、5nm技术等等。
全球DRAM产业发展至今数十年,制程技术授权的过往历史不断上演,全球大厂在技术演进与产能扩充之间相互生死搏斗,砸下庞大资金却不堪竞争而黯然退场的业者更不胜枚举。
从营收角度观察,厂商普遍难逃季衰退的命运。产业龙头三星在服务器内存出货大减的冲击下,第四季位元出货在三大原厂中下滑最多,营收较上季下滑25.7%,来到94.5亿美元,市占则跌至41.3%。
DRAMeXchange发布的数据显示,截至今年9月,韩企在DRAM市场的份额已经达到74.6%,三星占45.5%,SK海力士占29.1%,全球第三大厂商是来自美国的镁光,占比为21.1%。
DRAM厂南亚科昨日举行股东会,总经理李培瑛会后受访表示,第2季DRAM市况已看到会比第1季好,第3季又会比第2季稍好,合约价跌幅会比现货价小;整体而言,随着旺季到来,下半年DRAM还是会比上半年好。
受库存过高影响,DRAM第一季合约价跌幅持续扩大,整体均价已下跌逾20%。然而价格加速下跌并未刺激需求回温,预计在库存尚未去化完成的影响下,DRAM均价跌势恐将持续至第三季。
存储器产业今年支出可能骤降45%,国际半导体产业协会(SEMI)预期,恐将连带影响今年全球晶圆厂设备支出滑落至484亿美元,减少19%。
本应该是旺季的Q4,DRAM芯片和NAND Flash芯片的合约采购价均呈现疲软的态势。
利基型存储器厂华邦电14日召开股东会,总经理詹东义表示,今年希望对主要客户的渗透率持续成长,自行开发的20纳米制程DRAM技术将于明年底到位,未来将在高雄新厂投产。
近日台湾地区联华电子在其公司网站上发布有关近期和美光及美国法律案件的后续声明,表示联华电子的DRAM技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计。对于和福建晋华的合作,联华电子表示,只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易。
金士顿科技用于嵌入式应用的c-Temp和i-Temp DDR3/DDR3L DRAM提供了低电压选项,可降低功耗。
根据这份报告的分析,今年第四季度的4GB PC DRAM模块的平均售价环比下降10.14%,从第三季度的34.5美元下降至31美元。8GB PC DRAM模块的平均售价环比下降10.29%,从第3季度的68美元降至61美元。随着各大内存厂疯狂扩产,市场进入了供应过剩的状态,DRAMeXchange不排除11月和12月价格会进一步下跌。由于供应商急于出售库存,预计8GB模块价格将比4GB模块下降得更快。
IC Insights最新报告指出,在经历了2017和2018年的巨额支出后,DRAM资本支出将在今年暴跌28%
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